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【第一參賽人/留學(xué)人員】李祥

【留學(xué)國家】日本

【技術(shù)領(lǐng)域】高端裝備與新能源汽車

【參賽屆次】第9屆

【所獲獎項(xiàng)】入圍

【項(xiàng)目簡介】
半導(dǎo)體芯片制造核心設(shè)備光刻機(jī)技術(shù)是各個先進(jìn)國家競相爭奪的科技制高點(diǎn),光刻機(jī)全球市場被荷蘭ASML、日本佳能和尼康三大巨頭所壟斷。但為了摩爾定律能夠延續(xù),半導(dǎo)體制程必須進(jìn)軍亞納米時(shí)代,目前最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)都是不能勝任的。我們在日本的研發(fā)團(tuán)隊(duì),做出具有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)的世界首創(chuàng)顛覆性原理創(chuàng)新技術(shù)發(fā)明,對于曾經(jīng)獲得過3項(xiàng)諾貝爾獎的自1931年由德國物理學(xué)家魯斯卡(Ernst Ruska)設(shè)計(jì)第一臺電子顯微鏡中電子束產(chǎn)生和聚焦及控制的基本方法做了完全徹底的顛覆性原理創(chuàng)新。本創(chuàng)新技術(shù)能產(chǎn)生亞原子尺度束斑的可控電子束叢每次曝光的束斑數(shù)量達(dá)到100萬點(diǎn)素,達(dá)到同時(shí)分別控制產(chǎn)生數(shù)百萬點(diǎn)素皮米尺度電子束斑功能,以此技術(shù)制成可商業(yè)化的亞原子級高產(chǎn)能皮米制程光刻機(jī)。 【展開】 【收起】