【第一參賽人/留學(xué)人員】邢輝
【留學(xué)國家】美國
【技術(shù)領(lǐng)域】新材料
【參賽屆次】第7屆
【所獲獎(jiǎng)項(xiàng)】入圍
【項(xiàng)目簡介】
中德第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目由留德人員發(fā)起,聯(lián)合歐盟第三代半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室和西北工業(yè)大學(xué)、南京大學(xué)微電子學(xué)院、西安電子科技大學(xué)等國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和知名專家,旨在研究第三代半導(dǎo)體材料SiC晶體生長、大規(guī)模制備及更新一代半導(dǎo)體材料Ga2O3,金剛石,AlN等;技術(shù)水平為國內(nèi)領(lǐng)先,將可以較高成功率穩(wěn)定產(chǎn)出4英寸和6英寸SiC單晶晶體,未來該技術(shù)發(fā)展方向?yàn)榇蟪叽鏢iC單晶制備生產(chǎn)批量成熟技術(shù)和前沿半導(dǎo)體技術(shù)。該成果可廣泛應(yīng)用于新能源車、太陽能風(fēng)能、充電樁、數(shù)據(jù)中心、電力電子、高鐵、電源、雷達(dá)、5G通信、航空航天、器人等領(lǐng)域。公司于2021年2月成功研制出陜西省第一塊6寸4H碳化硅晶體,4月研發(fā)出Ga2O3薄膜,目前在進(jìn)一步優(yōu)化工藝,即將開展大規(guī)模市場化應(yīng)用!中德半導(dǎo)體將爭取在2023年實(shí)現(xiàn)晶圓和相關(guān)上下游營業(yè)額達(dá)到5000萬元,2023年達(dá)到銷售額一億,成長為西部寬禁帶半導(dǎo)體材料獨(dú)角獸。本項(xiàng)目核心團(tuán)隊(duì)由國內(nèi)晶體材料領(lǐng)域一流的專家學(xué)者組建專業(yè)化和國際化的技術(shù)、營銷和投融資團(tuán)隊(duì)組成,以10多位從歐美學(xué)成歸國的博士團(tuán)隊(duì)為核心,包括:晶體生長、半導(dǎo)體材料、微電子學(xué)、計(jì)算機(jī)仿真、機(jī)械、自動(dòng)控制、MBA管理等專業(yè)。此外,本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)還聘請德國和美國,日本長期從事 SiC 材料和有關(guān)設(shè)備的專家做技術(shù)顧問。
【展開】
【收起】