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高性能氮化鎵（HiperGaN）項目，使用熱壁金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD），基于 GaN 的金屬極性 HEMT（High Electron Mobility Transistor 或者高電子遷移率晶體管）和氮極性的 HEMT晶體生長技術(shù)的開發(fā)，提供高性能、高速度、低功耗的電子元器件應(yīng)用材料。項目可以實現(xiàn)具有高性能材料特征的傳統(tǒng)非漸變通道金屬極性GaN HEMT的結(jié)構(gòu)，其具有超高速的二維電子氣（2DEG ）遷移率，可以達到2368 cm2/V.s （截至目前，文獻中最高的2DEG報告值）, 并且具有超低的非接觸式電阻率 290 ?/sq，銳利的電子通道和屏障界面，和很低的表面粗糙度。此項目還可以通過調(diào)整AlGaN 勢壘的成分和厚度實現(xiàn)載流子的不同高低濃度，進而可以實現(xiàn)三種不同的漸變通道（指數(shù)、混合 tanh-線性和直線）的金屬極性HEMT，使得器件的線性度得到改善和提高，這是應(yīng)用在低噪聲射頻放大器的關(guān)鍵技術(shù)。在氮極性HEMT上，利用了多步驟升溫法實現(xiàn)了高質(zhì)量的GaN晶體外延生長且具有低至1nm的表面粗糙度。其主要 2DEG 通道的平均薄層電阻是 294 ?/sq，其電子密度約為 2.2x1013 cm?2，電子遷移率2DEG約為 1170 cm2/V.s。GaN材料在高頻、高功率應(yīng)用方面具有很高的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)的硅材料相比，GaN 材料具有更高的電子遷移率、更小的阻抗、更高的工作溫度和更高的抗輻射性能。因此，其在無線通信、功率放大、汽車電子、航空航天等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。 【展開】 【收起】